当新一代移动通信技术崛起，第三代半导体可以做些什么？
欧阳诗曲 2016-11-21 16:09:23 产经
整个社会越来越像科幻片，教育、高清视频、家庭智能系统等等都可以通过各种移动终端实现，各种消费品都开始联网，人类社会万物互联，逐步实现数字化生存。高速的移动通信网络既是扩大消费，促进经济发展 整个社会越来越像科幻片，教育、高清视频、家庭智能系统等等都可以通过各种移动终端实现，各种消费品都开始联网，人类社会万物互联，逐步实现数字化生存。高速的移动通信网络既是扩大消费，促进经济发展的硬件条件，也是重要推手。移动通信技术的提升将刺激互联网的发展，也将极大带动经济发展。万物互联的背景下，加上高速率的保证，移动信息消费潜力巨大。世界各国相关研究机构、设备商和运营商就将目光投向了移动通信技术，比如5G ，争先恐后地开展战略布局和科技研发以占得先机。
其中，在新一代移动通信技术的发展，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料不可忽视。第三代半导体具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源、下一代射频和电力电子器件的“核芯”，在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、智能电网等领域有广阔的应用前景。预计到2020年，第三代半导体技术应用将在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元的潜在市场。
那么新一代通信技术发展的背景下，第三代半导体会有怎样的作为呢?
2016年11月15日至17日， 2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛(以下简称“跨国技术转移大会”)将在北京国际会议中心召开。此次跨国技术转移大会，由中国科技部与北京市人民政府主办，将覆盖众多科技、产业创新热点领域。同期还将举办第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2016)。
今年跨国技术转移大会专门设置了“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千与中国电子科技集团公司第十三研究所副所长蔡树军将担任此次分会召集人，汇集来自全球相关领域的科研院所、高校、大型代表企业的重量级精英，共同探讨行业发展。
其中，加州大学洛杉矶分校教授王康隆将担任分会外方主席，同时，分会成员星光熠熠，共同为分会提供最坚实的支撑。
分会成员刘新宇，中科院微电子研究所副所长，他还担任中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室副主任，电子学会青年工作委员会委员，是国家"核高基"重大专项"十二五"编写组专家。主要研究领域为:III-V族化合物(GaAs、InP、GaN)半导体器件和电路工艺，微波MMIC设计和研制，以及微波功率模块研究。
分会成员陈堂胜，中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家，长期从事GaAs、GaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制，现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家，目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。
分会成员张进成，西安电子科技大学教授 ，主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件。先后承担和作为主要负责人参加了省部级以上科研项目20余项。其中，作为负责人主持国家级项目2项、省部级项目4项。作为主要负责人之一，成功研制出我国具有自主产权的低缺陷氮化物材料生长的表面反应增强MOCVD和高铝组份GaN异质结构微波材料，性能指标达到了国际先进水平。
分会成员晏文德，中兴通讯股份有限公司副总裁中兴电源研究院院长，带领研发团队负责中兴通讯无线、有线、云计算等产品的电源方案设计，以及模块电源、定制电源、通信电源和新能源系统的研发。参与3项通信电源行业标准制定，持有5项专利。
强大的阵容团外，精彩报告亦是不容错过，非常值得期待。本次分会邀请设置了众多精彩报告，其中，分会外方主席、加州大学洛杉矶分校教授王康隆将做特邀报告。
台湾长庚大学教授邱显钦将带来关于高性能GaN开关电源和RF射频电源的研究分享，邱显钦十几年来专注第三代半导体领域，在微波砷化镓高速器件，氮化镓高压器件与微波毫米波电路方面迄今发表了超过150篇国际论文，150国际会议论文，十个技术专利，他同时也是IEEE资深会员。
国立中央大学电子工程系讲座教授，台湾联合大学系统的系统副校长綦振瀛也将分享其最新研究成果。綦振瀛主要研究领域为光电半导体磊晶技术，光电元件和高速电子元件，出版及参与出版过共340多篇期刊论文，并拥有超过60个专利。他也是斐陶斐荣誉学会会员，IEEE会士及国际光学工程学会(SPIE)会士。
日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授、国家千人计划专家敖金平也将做特邀报告。敖金平主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作，曾在国际学术期刊和国际会议上发表论文180余篇，拥有多项发明专利。他也是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
专用集成电路国家级重点实验室外延部部长房玉龙也将分享其研究成果。他长期从事宽禁带半导体GaN、SiC的材料外延及电子器件研究工作，对宽禁带材料与器件关系有深入的认识。研制出世界最高迁移率的新型无应变InAlN/GaN异质结材料，研制出国内第一支N极性面GaN基场效应晶体管。近年来，一直从事新型缓变AlGaN/GaN异质结材料和器件的研究，国际上首次报道了缓变AlGaN/GaN异质结器件的高线性特性。主持或参与“973”、“863”和自然基金项目多项，发表宽禁带领域学术文章50余篇。
